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Infineon Silicon Carbide Schottky Diode - Fifth Generation ThinQ!™
Sie bieten auf 1 Stück SiC Diode IDW40G65C5
ThinQ!™ Generation 5 represents Infineon leading edge technology for the SiC Schottky Barrier diodes. Thanks to the more compact design and thinwafer technology, the new family of products shows improved efficiency over all load conditions, resulting from both the improved thermal characteristics and a lower figure of merit (Qc x Vf). The new thinQ!™ Generation 5 has been designed to complement our 650V CoolMOS™ families: this ensures meeting the most stringent application requirements in this voltage range.
Features:
Menge: 1 Stück Artikelnummer: 855642 Artikelbezeichnung: IDW40G65C5 Marking: D4065C5 Nennstrom IF(Tc<115°C): 40A Durchlassspannung VF (typ.): 1,5 - 1,8 V Periodische Spitzensperrspannung VRRM: 650 V Funktion: SiC-Schottky 650V 40A TO247 Betriebstemperaturbereich: -55...175°C Gehäuse: TO247 Hersteller: Infineon Zustand: neu, ungebraucht aus aktueller Fertigung
Datenblatt: